温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G33N03D3
2个N沟道 耐压:30V 电流:33A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G33N03D3
- 商品编号
- C840053
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
G33N03D3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：30V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：28A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 11mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 14mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器