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G20N06J
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20N06J
- 商品编号
- C840051
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
商品概述
G20N06J采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：20A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 23mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器