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G110N06K
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- G110N06K是一款N沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。其强大的EAS能力和极低的RDS(ON) 适用于PWM、负载开关应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G110N06K
- 商品编号
- C840052
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.538nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G110N06K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS 60V
- 栅源电压VGS = 10V时的漏极电流ID 110A
- 栅源电压VGS = 10V时的导通电阻RDS(ON) < 6.4mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时的导通电阻RDS(ON) < 8.4mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器