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IRL3103PBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL3103PBF-VB
- 商品编号
- C7569030
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- DT沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET
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