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MT19N10-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT19N10-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MT19N10-VB
商品编号
C7569034
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)1.8nF@12V
反向传输电容(Crss)60pF@12V
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

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