MTP10N25-VB
1个N沟道 耐压:250V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型沟道MOSFET,采用Trench技术,适合于中等功率模块和一般工业应用。TO220;N—Channel沟道,250V;14A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTP10N25-VB
- 商品编号
- C7569037
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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