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SM3403PSQG-VB
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适合在紧凑空间内应用。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-20V；-52A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=16V；Vth=-1~-2.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SM3403PSQG-VB
- 商品编号
- C7569061
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95.3nC@10V；46.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF |
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