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STP90N4F3-VB
1个N沟道 耐压:40V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型MOSFET，采用Trench工艺，具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220；N—Channel沟道,40V；110A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STP90N4F3-VB商品编号
C7569066商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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