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FDB2532-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:80A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型功率场效应管，采用Trench技术，适用于多种应用场合。TO263；N—Channel沟道,140V；100A；RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB2532-VB
- 商品编号
- C7569087
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；17mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 378W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 雷霆功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 材料分类:符合RoHS标准、无卤
应用领域
- 电源:
- 不间断电源
- 交流/直流开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流/交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器
- 电池管理