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IRF520PBF-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF520PBF-VB商品编号
C7569095商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 127mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
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