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VBM1154N
1个N沟道 耐压:150V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于中功率电源模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO220；N—Channel沟道,150V；50A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM1154N
- 商品编号
- C7569116
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关