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IPB26CN10NG-VB
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电机驱动器、电源模块、焊接设备等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB26CN10NG-VB
- 商品编号
- C7569127
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
- 低 RDS(on)
- 符合 RoHS 标准且无卤素
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 表面贴装
- 低外形通孔封装,提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度可达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)