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BSC022N03S G-VB
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC022N03S G-VB
- 商品编号
- C7569125
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- 直流/交流逆变器
- LED背光