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ZXM64N035L3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域，可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器，以实现高效能量转换和稳定性能输出。TO220；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXM64N035L3-VB
- 商品编号
- C7569117
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域