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CSD19503KCS-VB
1个N沟道 耐压:80V
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CSD19503KCS-VB商品编号
C7569107商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
4.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V |
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