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FQP6N80C-VB
1个N沟道 耐压:950V 电流:6A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,950V；6A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；采用Plannar技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQP6N80C-VB
- 商品编号
- C7569109
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 927pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
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