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STP8NM60D-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:650V

    • 描述

      台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。TO220;N—Channel沟道,650V;10A;RDS(ON)=840mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2~4V;

    • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
    • 商品型号

      STP8NM60D-VB
    • 商品编号

      C7569101
    • 商品封装

      TO-220
    • 包装方式

      管装

    • 商品毛重

      2.93克(g)

    • 商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)650V
    属性参数值
    导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
    阈值电压(Vgs(th))3.5V

    数据手册PDF

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