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VBA5410
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于各种电源管理和功率控制应用场景。SOP8；N+P—Channel沟道,±40V；12/-10A；RDS(ON)=10/13mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA5410
- 商品编号
- C7569073
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW；6.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF；1.321nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF；245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 792pF；745pF |