VBZM20N65S
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBZM20N65S
- 商品编号
- C7569079
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
相似推荐
其他推荐
- ZXMN7A11GTA-VB
- ZXMP3A16DN8TA-VB
- ZXMP4A16GTA-VB
- SI9933BDY-T1-E3-VB
- AUIRFS4310ZTRPBF-VB
- BUK98180-100A-VB
- FDB2532-VB
- SI7430DP-VB
- STS3DPFS30L-VB
- AO4312-VB
- BSC057N03LS G-VB
- AP4501AGEM-HF-VB
- BSC079N03S G-VB
- FDPF320N06L-VB
- IRF520PBF-VB
- IRLIZ24GPBF-VB
- IRLIZ34GPBF-VB
- NVD6828NLT4G-VB
- SQD50N10-8M9L-GE3-VB
- STP55NF06L-VB
- STP8NM60D-VB
