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QM3116M6-VB

1个N沟道 耐压:30V

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描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
QM3116M6-VB
商品编号
C7569045
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.255克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
输入电容(Ciss)9.9nF
反向传输电容(Crss)970pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.725nF

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