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SI7164DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理、电池管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的各种模块和应用场景。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；80A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7164DP-T1-GE3-VB商品编号
C7569054商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.6V |
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