SI4434DY-T1-E3-VB

1个N沟道 耐压:200V

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。SOP8；N—Channel沟道,200V；3A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4434DY-T1-E3-VB

商品编号

C7569051

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.245克(g)