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SI1499DH-T1-GE3-VB实物图
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SI1499DH-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI1499DH-T1-GE3-VB
商品编号
C7569049
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@8V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道

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