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RJK0346DPA-VB实物图
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RJK0346DPA-VB

1个N沟道 耐压:30V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。适用于小型电路设计,有利于节省空间。DFN8(5X6);N—Channel沟道,30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
商品型号
RJK0346DPA-VB
商品编号
C7569048
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.79V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)71nC@10V
输入电容(Ciss)3.2nF
反向传输电容(Crss)970pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.025nF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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