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NTJS3157NT1G-VB实物图
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NTJS3157NT1G-VB

1个N沟道 耐压:30V

描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTJS3157NT1G-VB
商品编号
C7569043
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.145克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@10V
输入电容(Ciss)424pF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF

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