IRLZ44ZPBF-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,采用Trench工艺,适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220;N—Channel沟道,60V;60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLZ44ZPBF-VB商品编号
C7569032商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V |
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