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IRLI540NPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLI540NPBF-VB

1个N沟道 耐压:100V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F;N—Channel沟道,100V;50A;RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
商品型号
IRLI540NPBF-VB
商品编号
C7569031
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)90nC@10V
输入电容(Ciss)5.1nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)480pF

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 最高结温175°C
  • 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行Rq和UIS测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理

数据手册PDF