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IRFS3006PBF-VB
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS3006PBF-VB
- 商品编号
- C7569026
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.75nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域