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IRLR7833TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLR7833TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于汽车电子、电池管理和电源逆变等需要高功率和高性能的应用场合。TO252；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLR7833TRPBF-VB
商品编号
C7568894
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81.5nC@4.5V；171nC@10V
输入电容(Ciss)6.201nF
反向传输电容(Crss)970pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.725nF

数据手册PDF

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