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IRLU3717PBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLU3717PBF-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:35A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能、低损耗和稳定性的特点，适用于各种高功率和高频率控制的场合，能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。TO251；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLU3717PBF-VB
商品编号
C7568895
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.32克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th))1V；2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81.5nC@4.5V；171nC@10V
输入电容(Ciss)3nF@15V
反向传输电容(Crss)170pF@15V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)710pF

数据手册PDF

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