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SI4190ADY-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道单晶硅器件，采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；15.5A；RDS(ON)=8.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4190ADY-T1-GE3-VB
商品编号
C7568911
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15.5A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)7.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.9V
栅极电荷量(Qg)27.9nC@6V
输入电容(Ciss)3.41nF
反向传输电容(Crss)160pF
类型N沟道
输出电容(Coss)790pF

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