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SI4190ADY-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道单晶硅器件，采用Trench技术，适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；15.5A；RDS(ON)=8.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4190ADY-T1-GE3-VB商品编号
C7568911商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V |
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