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VBL2305
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-20V；-100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2305
- 商品编号
- C7568929
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
~~- 结温175°C-沟槽功率MOSFET-材料分类:符合RoHS标准