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FDG6320C-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDG6320C-VB
- 商品编号
- C7568936
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.28A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V；155mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W；1.24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V；1.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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