BSC032N03S G-VB

1个N沟道 耐压:30V

描述

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

BSC032N03S G-VB

商品编号

C7568943

商品封装

DFN-8(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.13克(g)