温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD7N20TM-VB
1个N沟道 耐压:200V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD7N20TM-VB
- 商品编号
- C7568962
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 245mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.06V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175 °C结温
- 低热阻封装
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器