2SJ547-VB
1个P沟道 耐压:60V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET器件,采用Trench技术,应用于各种电子设备和系统中。TO220F;P—Channel沟道,-60V;-20A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SJ547-VB商品编号
C7568966商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.505克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
梯度价格
梯度
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