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SPP15P10PL H-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:23A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于多种领域和模块，可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。TO220；P—Channel沟道,-100V；-23A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SPP15P10PL H-VB
- 商品编号
- C7568920
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- trench 功率 MOSFET
- 新型低热阻封装
应用领域
- 便携式设备
- 电池开关
- 负载开关