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STP10NK80ZFP-VB
1个N沟道 耐压:800V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管产品，采用SJ_Multi-EPI技术，在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性，展示了其广泛的应用前景和潜力。TO220F；N—Channel沟道,800V；9A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP10NK80ZFP-VB
- 商品编号
- C7568924
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 99W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-最高结温175 °C-符合RoHS指令2002/95/EC