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STP80NF10FP-VB
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应管，采用Trench工艺，适用于各种电子设备的功率控制和调节。TO220F；N—Channel沟道,100V；90A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP80NF10FP-VB
- 商品编号
- C7568926
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 适配器开关
- 笔记本电脑