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SiA975DJ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SiA975DJ-T1-GE3-VB商品编号
C7568917商品封装
DFN-6(2x2)包装方式
编带
商品毛重
0.0175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV |
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