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SiA975DJ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA975DJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7568917
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |