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SI4470EY-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4470EY-T1-GE3-VB商品编号
C7568913商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V |
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