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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

P1603BV-VB

1个N沟道 电流:13A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适合用于各种电源管理、电机驱动、和电力转换应用。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
P1603BV-VB
商品编号
C7568901
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)4.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)6.8nC@5V
输入电容(Ciss)800pF@15V
反向传输电容(Crss)73pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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