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RQA0009SXAQS-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RQA0009SXAQS-VB

1个N沟道 耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RQA0009SXAQS-VB
商品编号
C7568908
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V；30mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)6.3W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)220pF

数据手册PDF

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