PSMN1R5-40PS-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:180A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型MOSFET，采用Trench工艺，具有优异的性能和稳定性。适用于高功率电子设备的散热要求。TO220；N—Channel沟道,40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

PSMN1R5-40PS-VB

商品编号

C7568903

商品封装

TO-220AB​

包装方式

管装

商品毛重

2克(g)