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PSMN2R7-30PL-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有良好的性能稳定性和可靠性，采用Trench工艺制造，适用于电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PSMN2R7-30PL-VB商品编号
C7568904商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V |
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