MTP12P10-VB

1个N沟道 耐压:100V

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

MTP12P10-VB

商品编号

C7568897

商品封装

TO-220AB​

包装方式

管装

商品毛重

2.1克(g)