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2SK2045LS-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

2SK2045LS-VB

1个N沟道 耐压:650V

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，提供稳定可靠的电气特性。TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK2045LS-VB
商品编号
C7568896
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)860pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

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