IRL1104PBF-VB
1个N沟道 耐压:40V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL1104PBF-VB
- 商品编号
- C7568892
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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