温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM4920M-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SSM4920M-VB
- 商品编号
- C7494527
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V；26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
相似推荐
其他推荐
- FDMS3604S-VB
- SI4442DY-T1-E3-VB
- TN2404K-T1-E3-VB
- BSS139-VB
- AO4884&30V-VB
- AUIRLR3105TRLPBF-VB
- DMN3112SSS-13-VB
- FDMC4435BZ-VB
- FDMS8018-VB
- FDN352AP-NL-VB
- IRF9410TRPBF-VB
- SM2303PSA-VB
- STD3NK50ZT4-VB
- SUD50N10-18P-E3-VB
- Si1024X-T1-GE3-VB
- IRFS4115PBF-VB
- AUIRFR4615TR-VB
- CSD17308Q3-VB
- FDP150N10A_F102-VB
- IRFR3910TRLPBF-VB
- IRLU2905PBF&15-VB