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IRLU2905PBF&15-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRLU2905PBF&15-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLU2905PBF&15-VB
商品编号
C7494548
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.64375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V；37mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.7W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF@30V
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)281pF

数据手册PDF

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